变送器电磁场的损耗

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电磁变送器电磁场的损耗
变送器激磁线圈产生的电磁场主要损耗有铜损和铁损。
其中铜损P即线圈电阻造成的能量损失:P=rI2
变送器的铁损是比较复杂的,可分为磁滞损耗和涡流损耗,而涡流损耗又可分为铁芯涡流损耗、测量管管壁涡流损耗和介质中的涡流损耗。

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电磁变送器电磁场的损耗

电磁变送器电磁场的损耗
变送器激磁线圈产生的电磁场主要损耗有铜损和铁损。
其中铜损P即线圈电阻造成的能量损失:P=rI2
变送器的铁损是比较复杂的,可分为磁滞损耗和涡流损耗,而涡流损耗又可分为铁芯涡流损耗、测量管管壁涡流损耗和介质中的涡流损耗。
1.磁滞损耗是由于磁性材料的磁滞特性造成的。线圈通以交流电后,由于磁性材料的磁滞现象,磁通相位比电流相位滞后一定的角度(磁滞角)。根据电工学理论分析,在磁轭或铁芯中的磁滞损耗可用下式表示:

式中:
η--磁性物质的特性系数;
f--交变磁通的频率;
Bm--最大磁感应强度;
Vc--铁芯或磁轭的体积。
当铁芯中的磁感应强度没有达到饱和时,磁滞损耗是很小的。因此,变送器的磁轭、铁芯采用高磁导率的电工矽钢片做成,矽钢片的碾压方向最好与磁力线方向一致,这样,磁滞损耗大大下降,可以忽略不计。
2.磁轭内的涡流损耗
根据理论分析,磁轭中的涡轮损耗Pe可用下式来表示:

式中:
Kψ为磁通的波形因素,即磁通的有效值与正半周波平均值之比。当磁通为正弦波形时,Kψ=1.11;
σc为磁轭材料的电导率;
t为每片磁轭或铁芯插片的厚度。
从式3-25可见,磁轭应采用磁导率高、电导率低的薄片,每片之间应绝缘,可以减少损耗。通常对几十赫兹的市电频率,矽钢片厚度为0.25~0.5mm就可以使涡流损耗不致超过容许值。
综合3-24和3-25,铁芯或磁轭内总的损耗为:

假定3磁滞损耗与Bm的二次方成正比(即假定n=2),可简化公式得:

3.金属测量管内的涡流损耗
变送器测量管内的涡流损耗Pd可由下式来表示:

式中:
L/a为磁场轴向长度与测量管直径之比;
a为金属测量管的内半径
b为金属测量管的外半径
ω为磁通的角频率,ω=2πf;
ρd为测量管材料的电阻率;
B为磁场的磁感应强度。
由此可见,激磁电源的频率越高、磁场强度越强、磁场的轴向长度越长、测量管的管径越大、壁厚越厚,则涡电流越大、涡流损耗越大,磁感应强度滞后于磁场电流的相位差角也越大。
实际制造过程中,通过测试证明,大口径变送器测量管的涡流损耗是很严重的。我们对φ700mm口径的变送器进行了测试,测量管材料为1Cr18Ni9Ti,测量管外径为φ726mm,壁厚为8mm,在激磁线圈之间安装测量管与不安装测量管时测得的磁路参数见表3-4.
其中,磁轭的铁损在无测量管时:
变送器的磁路参数

可见,测量管的涡流损耗很大,不仅使激磁电流增大,电压与电流的相位差减小到55度,并且使电流与磁通、信号的相位差变大,给整套仪表的配套带来很大的麻烦,而且使得整套仪表的稳定性也差。
4.介质中的涡流损耗
根据理论分析,我们可以解得介质中的涡流损耗Pi为:

式中,ρi为介质电阻率。
假如被测介质为水,ρi=10000Ω.cm,同样以φ700mm变送器为例,a=35.5,ω=15Gs,L/a=1.5,代入3-29式可得Pi=0.37*10-4W。由此可见,当测量电导率跟水接近的介质时,介质中的涡流损耗可以忽略不计。


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